Характеристики
Количество модулей 1 модуль Тип памяти SODIMM DDR3 Объем памяти, Гб 4 Частота, МГц 1600
4 690 тг.
|
Небуферизованная память Long-DIMM и SO-DIMM с более низким рабочим напряжением (1.35В) обеспечивают экономию энергии, по сравнению со стандартными модулями памяти, которые работают при напряжении 1.5В.
DRAM модуль Тип RAM DDR3 Тип DIMM Unbuffered SO-DIMM Скорость 1333 Тайминги CL9 Емкость 4GB Ранг 2Rx8 DRAM (256Mx8)x16 Напряжение 1.35V Пин 204 pin Высота печатной платы 1.18 дюймов
44 990 тг.
|
Раздел не найден